Atualmente, existem 5 diferentes tipos de tecnologias para a fabricação de memórias flash NAND: SLC (Single-Level Cell), MLC (Multi-Level Cell), TLC (Triple-Level Cell), QLC (Quad-Level Cell) e PLC (Penta-Level Cell). Estas, se diferenciam pela quantidade de bits que podem armazenar (de 1 a 5), aumentando de forma exponencial a capacidade de armazenamento das unidades em que elas são utilizadas. Em contrapartida, quanto maior a densidade, menor será o seu tempo de vída útil, já que ela irá suportar menos operações de gravação…
“Apple may switch up the type of flash memory used in its higher capacity iPhone 16 models, with higher density but potentially slower Quad-Level Cell NAND reportedly being considered. Apple and other smartphone producers have gradually increased the amount of storage on their products, but doing so increases the cost of hardware. Now, Apple seems to be looking into using a cheaper memory option. The change could have Apple moving from the use of Triple-Level Cell (TLC) NAND flash for storage in favor of Quad-Level Cell (QLC) NAND flash for models with a storage capacity of 1TB or more…”
— by Apple Insider.
Por isto, as unidades que adotam memórias SLC são utilizadas em sistemas que sofrem grande quantidade de operações de escrita, já que elas suportam até 100.000 ciclos de gravação, ao passo que as MLCs (10.000 ciclos) são adotadas em estações de alta performance, sendo ambas relativamente caras para o público geral. Para estes usuários, a TLC (3.000 ciclos) são a que oferecem uma boa relação de custo vs benefício, ao passo que a QLC (1.000 ciclos) e a PLC (500 ciclos) são opções viáveis apenas para unidades de armazenamentos de uso esporádico, como os pendrives e cartões de memórias.
O problema é que devido a questão de espaço físico e a necessidade de prover mais armazenamento, muitos smartphones básicos e intermediários acabam adotando memórias flash NAND de maior densidade (QLCs e PLCs), o que pode afetar a sua durabilidade. Este, poderá ser o caso dos futuros iPhones 16, segundo um rumor publicado originalmente pelo site Digitimes: ao invés de utilizar as memórias do tipo TLCs (que possuem um bom equilíbrio entre a qualidade, capacidade de armazenamento e custo), a empresa está considerando a utilização das memórias do tipo QLC, para os smartphones com +1 TB de armazenamento.
Por se tratar de uma classe de dispositivos que não utiliza o armazenamento de forma intensiva (tal como acontece com as estações de trabalho tradicionais), muitos acreditam que esta substituição não iria afetar de forma negativa, a performance e a durabilidade dos iPhones que irão utilizar este tipo de memória. Mas na prática, a tendência é que o seu sistema de armazenamento sofra uma degradação mais rápida devido a natureza da tecnologia QLC, além de aumentar a quantidade falhas na gravação de dados e assim, afetar a sua confiabilidade.
Torçamos para que isto seja de fato, apenas um rumor. Mas se isto acontecer na prática, torçamos também para que a adoção das memórias flash NAND QLC ocorra apenas nos aparelhos com +1 TB de armazenamento, mantendo os demais com o tipo TLC (ainda que isto reflita no valor final do produto). Felizmente, a grande maioria dos usuários não precisam de tanto armazenamento e no meu caso (que comprei recentemente um iPhone 12), 64 GB têm sido mais do que suficientes.
Pois se adotarem o QLC em todas as linhas de produtos, bye iPhone… &;-D